Changchun Institute of Optical Machinery and Physics (CIPM), Китайската академия на науките (CAS), съобщи, че изследователският екип за високомощни полупроводникови лазери в CIPM, под ръководството на академик Wang Lijun и изследователя Ning Yongqiang, е извършил изследване върху усъвършенствани полупроводникови лазери с тясна ширина на линията и ключови технологии през последните години.
Наскоро асоциираният изследовател Чао Чен от екипа съобщи за 852nm тясна линия, линейно поляризиран полупроводников лазер, базиран на външна оптична структура за обратна връзка. Лазерната структура постига лазерен изход с висока линейна поляризация и тясна ширина на линията с коефициент на поляризационно изчезване над 30 dB и ниска от 2,58 kHz чрез въвеждане на фемтосекунден лазерно индуциран двупречупващ решетъчен филтър на Bragg и интегрирането му с хибрид на висока поляризационна корелация чипове за усилване на полупроводници, използващи селективна обратна връзка по поляризационен режим и техники за блокиране на инжектиране.
Фиг. (a) Спектрални характеристики на възбуждане на лазера, (b) Вариационни характеристики на съотношението на поляризационно изчезване с инжекционен ток (вмъкването показва мощността на лазера, измерена чрез различни ъгли на въртене на вълновата плоча на лазера), (c) спектър на мощността на честотата на биене и неговата подходяща крива на широчината на лазерната линия, измерена чрез забавено във времето самопоглъщане, и (d) числена симулация и резултати от изпитване на лоренцианската ширина на линията.
Лазерът може да се използва като потенциален атомно изпомпван светлинен източник за системи за измерване на квантова точност и, въз основа на предишни изследвания в устойчиви на радиация лазери с тясна ширина на линията, той също е обещаващ да бъде използван в квантови експериментални системи със студени атоми в космическа среда, както бордови, така и бордови стрелки.
