25-ият Китайски международен панаир на високите технологии започна вчера и бяха представени постиженията на иновативните технологични приложения в различни индустрии. Shenzhen University of Technology, голям брой продукти с висока прецизност „черна наука и технология“ също са изложени, като напълно демонстрират училищните учители и ученици, фокусирани върху изкуствения интелект, технологията на новите материали, интелигентното медицинско здраве, интернет на нещата, съхранението на енергия батерии и други ключови области на индустрията, за укрепване на сътрудничеството между индустрията, академичните среди и научните изследвания и за насърчаване на ползотворните резултати от научни и технологични иновации.
На 16 ноември Ruan Shuangchen, президент на Shenzhen University of Technology, дойде на щанда на училището, наблюдаваше резултатите от изложбите на училището един по един и внимателно попита за текущото състояние на изследванията на проекта, акцентите на технологичните иновации и тяхното приложение , той насърчи изследователите да полагат постоянни усилия за ускоряване на индустриализацията на резултатите от научните изследвания и изложи по-високи изисквания за трансформацията и прилагането на високите и новите технологични резултати на училището.
At the same time, new good news came from the university's scientific research work. Recently, the national key research and development project team led by Prof. Ruan Shuangchen of Shenzhen University of Technology, under the support of the project of "Crystal Thin Wafer Processing and Preparation of New Generation of Gain Devices" of the National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology, has made important progress in research on the key scientific issues of crystal thin wafer processing and preparation of new generation of gain devices, and is the first one to realize the breakthrough of We are the first one in China to realize the crystal package of Yb:YAG wafer with diameter >20 мм и проектирайте 48-тактова помпена система от киловат клас.
Високомощните свръхбързи лазери се използват в модерното производство, информацията, микроелектрониката, медицината, енергетиката, военните и други области, а свързаните с тях научни и технологични изследвания са от съществено значение за насърчаване на развитието на национални стратегии. Устройството за лазерно усилване е основният основен материал на високомощен свръхбърз лазер, който е силно загрижен от всички страни по света. Тънкослойните лазери с отлично качество на лъча и висока ефективност на ефективността на оптичното към оптично преобразуване са широко използвани в много области като индустриалното производство и фундаменталните научни изследвания. Въпреки това, липсата на ключови основни технологии като прецизна обработка на тънкослойни кристали, проектиране и опаковане на системи за радиатор и подготовка на устройства за усилване сериозно ограничи по-нататъшното развитие на високомощни тънкослойни лазери в Китай.
Разчитайки на ключовата лаборатория за усъвършенствани оптични прецизни производствени технологии за университетите в Гуангдонг, ключовата лаборатория за лазерно инженерство в Шенжен, китайско-германския институт за интелигентно производство и колежа по инженерна физика, технологичният университет в Шенжен провежда изследвания на тънки люспи лазерна технология от 2021 г. и прие самостоятелно разработените кристали с тънки люспи с диаметър 12 mm и технология за регенеративно усилване в началото на 2022 г., за да реализира регенеративното усилване с висока мощност на резонансната кухина чрез компенсацията на хроматичната дисперсия и Чрез контролиране компенсацията на дисперсията и нелинейния ефект на високомощната регенеративна усилваща резонансна кухина, лазерният изход на енергия на единичен импулс >500μJ, ширина на импулса <7,5ps, средна мощност >200W се реализира, особено отличното представяне на качеството на лъча M2 <1,1 и ефективност на оптично към оптично преобразуване>50%, което поставя солидна основа за ефективното нелинейно честотно преобразуване извън кухината.
The project team adopted wavelength-locked 969nm "zero-phonon line" pumping to realize the highest continuous output power >1300 W, максималната ефективност на оптичното към оптично преобразуване от близо 80% и отличната му производителност поставиха важна основа за изследване на киловат клас средна мощност и ултрабързи тънкослойни лазери от 100 mJ.
(a) 1000W@969nm изпомпване (b) 2000W@969nm изпомпване
Чрез ключовите проекти за научноизследователска и развойна дейност на Министерството на науката и технологиите екипът на проекта е ориентиран към националната индустриална сигурност и основните нужди на инженерното строителство, пробиви в прилагането на високомощни лазерни материали и устройства, ключови основни технологии, пробиви във веригата на иновациите , пробиви в стратегическата високомощна лазерна кристална подготовка и прилагане на общи ключови технологии във всяка връзка, за подобряване на основните лазерни кристални материали и устройства на Китай в областта на информацията, енергетиката, транспорта, оборудването от висок клас и други области на независими възможности за контрол , за да обслужва новата енергия, 3C електроника и оборудване от висок клас. Той ще подобри способността за независим контрол на основните лазерни кристални материали и устройства в областта на информацията, енергетиката, транспорта и оборудването от висок клас в Китай и ще обслужва развитието на нова енергия, 3C електроника, производство от висок клас и други високи -технологични индустрии.
