Xi'an Lixin Optoelectronics пуска ново поколение 1470nm високомощни полупроводникови лазерни чипове

На 30 януари Xi'an Lixin Optoelectronics Technology Co., Ltd (наричана по-нататък "Lixin Optoelectronics") официален микроблог съобщи, че компанията пусна 1470nm полупроводников лазерен чип, изходна мощност от 3W, продуктът има висока ефективност на преобразуване , висока надеждност, стабилност на режима, може да се персонализира и т.н., основните приложения в биомедицината, лазерното оборудване, красотата, научните изследвания и други области. , козметология, научни изследвания и други области.
1470nm полупроводников лазерен чип, пуснат този път, има две основни продуктови предимства:
1, новият 1470nm модел на чип LC-UMC-95-1470-TE-3-2.0-D1, изходна мощност от 3W, ширина на светоизлъчващата лента от 95μm, дължина на кухината от 2 mm, ефективност на фотоелектрично преобразуване от 25%. Животът на чипа в текущия 12A, температура на водата 30 градуса, 1000H условия на стареене без значително влошаване, производителност след сравнение с местни и чуждестранни конкуренти, достигна водещо ниво на вътрешния пазар.
2, лазерният чип от серия LC-UMC-14XX е проектиран и произведен от Lixin Optoelectronics, контролът на диапазона на толерантност на дължината на вълната е по-малък от 10nm, пределната изходна мощност 4W.
Според въведението продуктът е реализирал три големи технологични пробива:
1, от дизайна на чипа, растежа на епитаксиалния материал, процеса на подготовка, проверката на производителността и други аспекти на независимото производство, за да се постигне от епитаксиалния материал до чипа напълно независим и контролируем;.
2, Разширяване на продуктовата линия на компанията и увеличаване на оформлението на продуктите от серия LC-14XX.
3. 1470nm чип полага основата за последващото оформление на серията продукти от индиев фосфид.
Xi'an Lixin Optoelectronics разполага с технически екип от местни и чуждестранни експерти и усъвършенствана производствена линия за производство на полупроводникови лазерни чипове, основно ангажирани в базирани на галиев арсенид, базирани на индиев фосфид високомощни полупроводникови лазери епитаксиални, чипове и опаковъчни модулни продукти, изследвания и разработка, производство и продажби, както и за предоставяне на свързани технически услуги. Компанията е изградила цялостна платформа за процеси и масова производствена линия, обхващаща дизайн на чипове, епитаксиален растеж, производство на чипове, опаковане на устройства, тестване на надеждността и т.н., която е напълно независима и контролируема. Продуктите покриват 755nm-1550nm обхват, с мощност, варираща от миливат до киловат, и се използват главно в промишлена обработка, оптична комуникация, лазерен дисплей, медицинска козметология, научни изследвания, печат, осветление и други области.